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少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
產(chǎn)品簡介

少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

產(chǎn)品型號:MDPpro 850+1
更新時間:2025-04-24
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:1867
詳細介紹在線留言

少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)

用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

       

       

特點 :        

◇ 壽命范圍:20 ns至100 ms(樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm)   

◇  SEMI標準:PV9-1110        

◇  測試速度:線掃描 < 30 s;完整的面掃秒 < 5 min        

◇  同時測量:壽命μPCD/MDP(QSS)和電阻率

◇  自動幾何形狀識別: G12、M10晶磚和晶圓片        


應用 :   

◇  壽命 & 電阻率面掃描        

◇  晶體生長監(jiān)控(即滑移線)        

◇  污染監(jiān)測

◇  氧條紋/OSF環(huán)       

◇  P 型摻雜硅的鐵面掃描圖

◇  光束感應電流(LBIC)

◇  發(fā)射極層的方阻        

◇  更多…

 

技術規(guī)格 :   

材料單晶硅
晶錠尺寸125  x 125至210 x 210 mm2,晶磚長850 mm或更長
晶圓尺寸直徑可達300 mm
電阻率范圍0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍
導電類別p/n
可測量的參數(shù)壽命-μPCD/MDP(QSS)、光電導率、電阻率等
默認激光器

IR激光二極管(980 nm,不超過500 mW)和IR激光二極管(905 nm,不超過9000 mW)??筛鶕?jù)要求提供其他波長

電腦Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個以太網(wǎng)端口
電力要求100 – 250 V AC, 6 A
尺寸(寬*高*長)  2560 × 1910 × 1440 mm
重量約200 kg
認證根據(jù)ISO 9001準則制造,符合CE要求

      












        

             

直拉硅單晶硅錠中的滑移線


含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量


MDP studio -  操作和評估軟件 :

用戶友好且*的操作軟件具有:

◇  導入和導出功能

◇  帶有操作員的用戶結(jié)構

◇  所有執(zhí)行的測量概覽

◇  樣品參數(shù)輸出

◇  單點測量(例如:注入濃度相關的測量)

◇  面掃描

◇  測試配方

◇  分析功能包

◇  線掃描和單點瞬態(tài)視圖


配置選項:

◇  光斑尺寸變化

◇  電阻率測量(晶磚和晶圓片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  LBIC

◇  P型摻雜硅中的鐵圖譜

◇  p/n檢測

◇  條碼讀取器

◇  自動幾何識別

◇  寬的激光器波長范圍


少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)  應用 :        

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的,因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此,有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度,具有非常高的分辨率且**是在線的

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摻雜樣品的光電導率測量

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陷阱濃度測定

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少數(shù)載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心俘獲中心的信息。

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多晶硅晶圓線掃描HJT晶圓的壽命測量

       

         

       

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